參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D256160TG-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
中文描述： 記憶譜
文件頁數(shù)： 38/94頁
文件大?。?/td> 3326K
代理商： HYB25D256160TG-3
Data Sheet
43
Rev. 1.6, 2004-12
HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
Figure 18
Write Burst (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
tDQSS (max)
NOP
Write
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
Maximum DQSS
BA a, COL b
T1
T2
T3
T4
tDQSS (min)
NOP
Write
CK
Command
Address
DQS
Minimum DQSS
BA a, COL b
DQ
DM
Dla-b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB39T256160TG-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB39S512160TG-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB39D512160TG-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
HYB39T512160TG-3 128 x 64 pixel format, LED or EL Backlight available
HYB39S256160TT-3 160 x 160 pixel format, EL Backlight (blue-green)
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參數(shù)描述
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