參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 24/29頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
24
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
HB52E648EN/649EN
Parameter
-A6B/B6B
Frequency (MHz)
100
t
CK
(ns)
Ac v e command to col umn command (s ame bank I
R C D
Ac v e command to ac v e command (s ame bank I
R C
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol 10
Notes
2
1
7
= [I
R AS
+ I
R P
]
1
Ac v e command to pr ec har ge command
( s ame bank
I
R AS
5
1
Pr ec har ge command to ac ve command
( s ame bank
I
R P
2
1
Wr e r ec ov er y or dat a- n to pr ec har ge command
( s ame bank
I
D PL
Tdpl
2
1
Ac v e command to ac v e command
( di er ent bank
I
R R D
2
1
Sel ref es h ex t ti me
I
SR EX
I
APW
Ts x
1
2
Las dat a in to ac v e command
( Aut o pr ec har ge, same bank)
Tdal
4
= [I
D PL
+ I
R P
]
Sel ref es h ex t to command input
I
SEC
7
= [I
R C
]
3
Pr ec har ge command to hi gh i mpedanc e
(
CE
lat enc y = 2)
(
CE
lat enc y = 3)
I
H ZP
I
H ZP
I
APR
Tr oh
2
Tr oh
3
Las dat a out to ac v e command (auto pr ec har ge)
( s ame bank
1
Las dat a out to pr ec har ge (ear y prec har ge)
(
CE
lat enc y = 2)
(
CE
lat enc y = 3)
I
EP
I
EP
I
C C D
I
W C D
I
D D
I
D O D
I
C L E
I
R SA
I
C D D
I
PEC
–1
–2
Col umn command to col umn command
Tc c d
1
Wr e c ommand to dat a in lat enc y
Tdwd
0
DQMB to dat a in
Tdqm
0
DQMB to dat a out
Tdqz
2
CKE to CK di s able
Tc k e
1
Regi s er set to ac v e command
S
to command di s abl e
Tmr d
1
0
Power down ex t o command input
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
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