參數(shù)資料
型號： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 21/29頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
21
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V) (HB52E648EN)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
I nput c apac ance (Addr es s)
I nput c apac ance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O 1
105
pF
1, 2, 4
90
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (CKE)
I nput c apac ance (
S
)
68
pF
1, 2, 4
38
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (CK)
50
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (DQMB)
23
pF
1, 2, 4
I nput Out put capac anc e (DQ)
Not es 1. Capac t anc e measur ed w h Boont on Met er or ef ec v e capac anc e meas ur ng met hod.
2. Meas urement condi on: f = 1 MHz 1 4 V bi as 200 mV sw ng.
3. DQMB =V
IH
to dis abl e Dat a- out
4. Thi s par amet er is sampl ed and not 100% tes ed.
22
pF
1, 2, 3, 4
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V) (HB52E649EN)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
I nput c apac ance (Addr es s)
I nput c apac ance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O 1
112
pF
1, 2, 4
97
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (CKE)
I nput c apac ance (
S
)
70
pF
1, 2, 4
40
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (CK)
50
pF
1, 2, 4
I nput c apac ance (DQMB)
27
pF
1, 2, 4
I nput Out put capac anc e (DQ)
Not es 1. Capac t anc e measur ed w h Boont on Met er or ef ec v e capac anc e meas ur ng met hod.
2. Meas urement condi on: f = 1 MHz 1 4 V bi as 200 mV sw ng.
3. DQMB =V
IH
to dis abl e Dat a- out
4. Thi s par amet er is sampl ed and not 100% tes ed.
22
pF
1, 2, 3, 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
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參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
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