參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/29頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
11
Byte No. Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
89
Manuf ac ur er s par number
0
0
1
0
0
0
0
0
20
( Spac e)
90
Manuf ac ur er s par number
0
0
1
0
0
0
0
0
20
( Spac e)
91
Rev s on code
0
0
1
1
0
0
0
0
30
I ni al
92
Rev s on code
0
0
1
0
0
0
0
0
20
( Spac e)
93
Manuf ac ur ng dat e
×
×
×
×
×
×
×
×
× ×
Year code
( BCD)
4
94
Manuf ac ur ng dat e
×
×
×
×
×
×
×
×
× ×
Week code
( BCD)
4
95 to 98 As s embl y ser al number
*
6
99 to 125 Manuf ac ur er spec c dat a
—
—
—
—
—
—
—
—
—
*
5
126
I nt el s pec c ati on fr equenc y 0
I nt el s pec i c ati on
CE
# l at enc y
s upport
(HB52E648EN/ 649EN- A6B) 1
1
1
0
0
1
0
0
64
100 MHz
127
1
1
1
1
1
1
1
FF
CL = 2 3
(HB52E648EN/ 649EN- B6B) 1
Notes: 1. All serial PD data are not protected. 0: Serial data, “driven Low”, 1: Serial data, “driven High”
These SPD are based on Intel specification (Rev.1.2A).
2. Regarding byte32 to 35, based on JEDEC Committee Ballot JC42.5-97-119.
3. Byte72 is manufacturing location code. (ex: In case of Japan, byte72 is 4AH. 4AH shows “J” on
ASCII code.)
4. Regarding byte93 and 94, based on JEDEC Committee Ballot JC42.5-97-135. BCD is “Binary
Coded Decimal”.
5. All bits of 99 through 125 are not defined (“1” or “0”).
6. Bytes 95 through 98 are assembly serial number.
1
1
1
1
1
0
1
FD
CL = 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E648EN-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E649E12 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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