參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 15/29頁
文件大小： 134K
代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
15
V
IL
/V
IH
Clamp
(Component characteristic)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE,
S
, DQMB and DQ pins.
Minimum V
IL
Clamp Current
V
IL
(V)
–2
I (mA)
–32
–1. 8
–25
–1. 6
–19
–1. 4
–13
–1. 2
–8
–1
–4
–0. 9
–2
–0. 8
–0. 6
–0. 6
0
–0. 4
0
–0. 2
0
0
0
V
IL
(V)
I
–1.5
–1
–0.5
–5
–15
–20
–10
–25
–30
–35
0
–2
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
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