參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 22/29頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
22
AC Characteristics
(Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52E648EN/649EN
-A6B/B6B
Parameter
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Sy s em cl oc k cy cl e ti me
(
CE
lat enc y = 2)
(
CE
lat enc y = 3)
t
C K
t
C K
t
C KH
t
C KL
Tc k
10
—
ns
1
Tc k
10
—
ns
CK hi gh pul s e wdt h
Tc h
3
—
ns
1
CK low pul s e w dt h
Tc
3
—
ns
1
Ac c es s ti me fr om CK
(
CE
lat enc y = 2)
(
CE
lat enc y = 3)
t
AC
t
AC
t
O H
t
L Z
t
H Z
t
D S
t
D H
t
AS
t
AH
t
C ES
t
C ESP
t
C EH
t
C S
t
C H
t
R C
Tac
—
6
ns
1, 2
Tac
—
6
ns
Dat a- out hol d time
Toh
3
—
ns
1, 2
CK to Dat a- out low impedanc e
2
—
ns
1, 2, 3
CK to Dat a- out h gh impedanc e
—
6
ns
1, 4
Dat a- n set up time
Ts
2
—
ns
1
Dat a in hol d ti me
Thi
1
—
ns
1
Addr ess set up time
Ts
2
—
ns
1
Addr ess hol d ti me
Thi
1
—
ns
1
CKE set up ti me
Ts
2
—
ns
1, 5
CKE set up ti me for power down ex
Tpde
2
—
ns
1
CKE hol d ti me
Thi
1
—
ns
1
Command set up time
Ts
2
—
ns
1
Command hol d ti me
Thi
1
—
ns
1
Ref Act v e to Ref Ac v e command
per od
Tr c
70
—
ns
1
Ac v e to pr ec har ge command per od
t
R AS
t
R C D
Tr as
50
120000
ns
1
Ac v e command to col umn command
( s ame bank
Tr c d
20
—
ns
1
Pr ec har ge to ac i v e command per od
t
R P
t
D PL
Tr p
20
—
ns
1
Wr e r ec ov er y or dat a- n t o pr ec harge
l ead t me
Tdpl
20
—
ns
1
Ac v e (a) to Act v e (b) command
per od
t
R R D
Tr d
20
—
ns
1
Tr ans t on ti me ( s e and f al
t
T
t
R EF
1
5
ns
Ref esh per od
—
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E648EN-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E649E12 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*