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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2114RJ |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | HAT2114RJ |
HAT2114R, HAT2114RJ
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 6 of 9
0.1
0.3
Reverse Drain Current I
DR
(A)
1
3
10
30
100
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
0
10
20
30
40
50
2000
5000
1000
100
200
500
Typical Capacitance vs.
Drain Source Voltage
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
8
Gate Charge Qg (nc)
16
24
32
40
0
Dynamic Input Characteristics
1000
500
50
100
20
10
200
1000
300
30
100
3
10
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Switching Characteristics
di / dt = 100 A /
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
10
20
50
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I
D
= 6 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 50V
25V
10V
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
μ
s, duty < 1 %
tr
td(on)
tf
td(off)
R
C
Drain Source Voltage V
DS
(V)
D
D
G
G
S
Drain Current I
D
(A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2129H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2160H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2160H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2164H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HAT2119H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2119H-EL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HAT2119H-EL-E - Tape and Reel |
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