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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2160H-EL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | HAT2160H-EL-E |
Rev.3.00 Sep 26, 2005 page 1 of 7
HAT2160H
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G0002-0300
Rev.3.00
Sep 26, 2005
Features
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 2.1 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)
(Package name: LFPAK )
1234
5
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
G
D
S S S
1 2 3
4
5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note 3
E
AR
Note 3
Pch
Note2
Tch
Tstg
Ratings
20
±20
60
240
60
30
90
30
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Note1
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PDF描述 |
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