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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2160H-EL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | HAT2160H-EL-E |
HAT2160H
Rev.3.00 Sep 26, 2005 page 4 of 7
Case Temperature Tc (
°
C)
S
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
5
4
3
2
1
-25
0
25
50
75
100 125
150
0
I
D
= 10 A, 20 A
10 A, 20 A, 50 A
V
GS
= 4.5 V
10 V
Pulse Test
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
100
30
300
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
50 A
0
8
4
12
16
20
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
50
30
20
10
0
20
40
16
12
8
4
40
80
120
160
200
0
I
D
= 60 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 5 V
10 V
20 V
V
DD
= 20 V
10 V
5 V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
20
50
10
di / dt = 100 A /
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
100
300
30
10
0.1 0.2
2
10
100
20
1
0.5
5
1000
50
3
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
Rg = 4.7
, duty
≤
1 %
tr
td(on)
td(off)
tf
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2164H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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參數(shù)描述 |
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