參數(shù)資料
型號(hào): HAT2160H-EL-E
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述: 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: HAT2160H-EL-E
HAT2160H
Rev.3.00 Sep 26, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
40
30
20
10
0
50
100
150
200
V
DS
= 10 V
Pulse Test
V
GS
= 2.4 V
10 V
4.5 V
2.6 V
2.8 V
3.0 V
3.2 V
Pulse Test
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW = 10 ms
10
μ
s
μ
s
1 ms
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DC Operaton
250
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 50 A
10 A
20 A
10
2
5
1
30
300
1
10
100
1000
3
V
GS
= 4.5 V
10 V
Pulse Test
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PDF描述
HAT2164H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2165H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2165N Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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參數(shù)描述
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HAT2164H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2164H_05 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT2165H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件