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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2114RJ |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | HAT2114RJ |
HAT2114R, HAT2114RJ
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 2 of 9
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
HAT2114R
HAT2114RJ
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
±20
V
Drain current
I
D
I
D
(pulse)
Note1
Note4
6
6
A
Drain peak current
48
48
A
Avalanche current
I
AP
—
6
A
Avalanche energy
E
AR
Pch
Note2
Pch
Note3
Note4
—
3.08
mJ
Channel dissipation
2
2
W
Channel dissipation
3
3
W
°
C
°
C
Channel temperature
Tch
150
150
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. 1 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10 s
3. 2 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10 s
4. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2129H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HAT2119H | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2119H-EL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HAT2119H-EL-E - Tape and Reel |
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