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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2114RJ |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | HAT2114RJ |
HAT2114R, HAT2114RJ
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 5 of 9
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1.0
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.10
Pulse Test
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
20
5
10
1
2
0.5
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
25
°
C
75
°
C
Tc = -25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
D
D
)
S
D
)
F
D
D
Drain Current I
D
(A)
Case Temperature Tc (
°
C)
Drain Current I
D
(A)
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
0.3
0.2
0.1
0
5
10
15
20
2 A
1 A
I
D
= 5 A
1
10
100
3
30
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
V
GS
= 4.5 V
10 V
Pulse Test
0.08
0.06
0.04
0.02
-40
0
40
80
120
160
0
V
GS
= 4.5 V
10 V
1, 2 ,5A
1, 2, 5 A
Pulse Test
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PDF描述 |
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