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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2114RJ |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | HAT2114RJ |
HAT2114R, HAT2114RJ
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 4 of 9
Main Characteristics
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
200
Power vs. Temperature Derating
Typical Transfer Characteristics
Typical Output Characteristics
2DieOeao
1DiveOpeaion
Note 6: When using the glass epoxy board
(FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
C
D
D
D
D
Case Temperature Ta (
°
C)
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain to Source voltage V
DS
(V)
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
4 V
10 V
3 V
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
0.003
0.001
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
1
3
10
Maximum Safe Operation Area
30
100
100
30
100
μ
s
10
μ
s
Ta = 25
°
C
1 shot Pulse
1 Drive Operation
PW=10ms
Noe6
DCOperaion(PW<10s)
limited by R
DS(on)
D
D
Test condition.
When using the glass epoxy board.
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm), (PW
≤
10s)
Operation in
this area is
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