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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8182T36BGD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 562K |
| 代理商： | GS8182T36BGD-333IT |
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GS8182T08/09/18/36BD-400/375/333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04b 6/2010
14/37
2007, GSI Technology
B2 State Diagram
Power-Up
NOP
Load New
Address
DDR Read
DDR Write
LOAD
READ
WRITE
LOAD
Notes:
1. The internal address burst counter is a 1 bit counter (i.e., when first address is A0, next internal burst address is A0+1).
2. “READ” refers to read active status with R/W = High, “WRITE” refers to write inactive status with R/W = Low.
3. “LOAD” refers to read new address active status with LD = Low, “LOAD” refers to read new address inactive status with LD = High.
LOAD
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