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參數(shù)資料
| 型號： | GS8182T36BGD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 33/37頁 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | GS8182T36BGD-333IT |
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2M x 8 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
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A
CQ
NC/SA
(72Mb)
SA
R/W
NW1
K
NC/SA
(144Mb)
LD
SA
NC/SA
(36Mb)
CQ
B
NC
SA
NC/SA
(288Mb)
K
NW0
SA
NC
DQ3
C
NC
VSS
SA
VSS
NC
D
NC
VSS
NC
E
NC
DQ4
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
F
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
G
NC
DQ5
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
H
Doff
VREF
VDDQ
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VSS
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NC
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VDD
VSS
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NC
DQ1
NC
K
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
L
NC
DQ6
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ0
M
NC
VSS
NC
N
NC
VSS
SA
VSS
NC
P
NC
DQ7
SA
C
SA
NC
R
TDO
TCK
SA
C
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. Unlike the x36 and x18 versions of this device, the x8 and x9 versions do not give the user access to A0. SA0 is set to 0 at the beginning
of each access.
2. NW0 controls writes to DQ0:DQ3; NW1 controls writes to DQ4:DQ7.
GS8182T08/09/18/36BD-400/375/333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04b 6/2010
5/37
2007, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS82032AGQ-133IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS8321EV18GE-133T | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| GS8321ZV36E-150T | 1M X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| GS832236AB-300T | 1M X 36 CACHE SRAM, PBGA119 |
| GS832472GC-150I | 512K X 72 CACHE SRAM, 10 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8182T37BD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182T37BD-435 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8-2.5 | 制造商:JST Manufacturing 功能描述:CRIMP TERMINAL RING 8MM |
| GS820 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| GS82032 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
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