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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29DS160F-12RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆（4米× 8/2M × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/59頁(yè) |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | ES29DS160F-12RTG |
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ESI
37
Rev. 2D Jan 5, 2006
ES29LV320D
Excel Semiconductor inc.
Test Condition
80R
90
120
Output Load
1TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig
capacitance)
30 pF
30 pF
100 pF
Input Rise and Fall Times
5 ns
Input Pulse Levels
0.0 - 3.0 V
Input timing measurement reference levels
1.5 V
Output timing measurement reference levels
1.5 V
Table 12. Test Specifications
Key To Switching Waveforms
Device
Under
Test
3.3V
2.7k
C
L
6.2k
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
Figure 16. Test Setup
Note
:
Diodes are IN3064 or equivalent
Measurement Level
Output
Input
3.0V
0.0V
1.5V
1.5V
Figure 17. Input Waveforms and Measurement Levels
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PDF描述 |
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