參數(shù)資料
型號： ES29DS160F-12RTG
廠商： 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司
英文描述： 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 32兆（4米× 8/2M × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 36/59頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： ES29DS160F-12RTG
ESI
36
Rev. 2D Jan 5, 2006
ES29LV320D
Excel Semiconductor inc.
DC CHARACTERISTICS
Zero-Power Flash
Figure 14. I
cc1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
5
10
15
20
25
Time in ns
S
Icc1 (Active Read current)
Icc5 (Automatic Sleep Mode)
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
Frequency in MHz
S
2.7V
3.6V
Figure 15. Typical I
cc1
vs. Frequency
Note
:
Addresses are switching at 1 MHz
Note
:
T = 25
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ES29DL320 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
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ES3B Surface Mount Ultrafast Efficient Plastic Rectifier(表貼型超快速效應(yīng)塑膠整流器)
ES3C Surface Mount Ultrafast Efficient Plastic Rectifier(表貼型超快速效應(yīng)塑膠整流器)
ES3D Surface Mount Ultrafast Efficient Plastic Rectifier(表貼型超快速效應(yīng)塑膠整流器)
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參數(shù)描述
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ES29DS160FB-12TG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29DS160FB-70WCI 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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