參數(shù)資料
型號： EPC2
廠商： Altera Corporation
英文描述： Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
中文描述： 配置SRAM器件基于LUT的器件
文件頁數(shù)： 31/36頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： EPC2
Altera Corporation
31
Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices Data Sheet
Notes to
Tables 12
19
:
(1)
See the
Operating Requirements for Altera Devices Data Sheet
.
(2)
The minimum DC input is –0.3 V. During transitions, the inputs may undershoot to –2.0 V or overshoot to 7.0 V for
input currents less than 100 mA and periods shorter than 20 ns under no-load conditions.
(3)
Numbers in parentheses are for industrial-temperature-range devices.
(4)
Maximum V
CC
rise time is 100 ms.
(5)
Certain EPC2 pins may be driven to 5.75 V when operated with a 3.3-V V
CC
. See
Table 9 on page 26
.
(6)
The I
OH
parameter refers to high-level TTL or CMOS output current; the I
OL
parameter refers to low-level TTL or
CMOS output current.
(7)
Capacitance is sample-tested only.
Table 15. EPC1213, EPC1064 & EPC1064V Device I
CC
Supply Current Values
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CC0
I
CC1
V
CC
supply current (standby)
V
CC
supply current
(during configuration)
100
200
μ
A
10
50
mA
Table 16. EPC2 Device I
CC
Supply Current Values
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CC0
I
CC1
V
CC
supply current (standby)
V
CC
supply current (during configuration) V
CC
= 5.0 V or 3.3 V
V
CC
= 5.0 V or 3.3 V
50
100
μ
A
18
50
mA
Table 17. EPC1 Device I
CC
Supply Current Values
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CC0
I
CC1
V
CC
supply current (standby)
V
CC
supply current (during configuration) V
CC
= 5.0 V
50
100
μ
A
30
50
mA
V
CC
= 3.3 V
10
16.5
mA
Table 18. EPC1441 Device I
CC
Supply Current Values
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CC0
I
CC1
I
CC1
V
CC
supply current (standby)
V
CC
supply current (during configuration) V
CC
= 5.0 V
V
CC
supply current (during configuration) V
CC
= 3.3 V
30
60
μ
A
15
30
mA
5
10
mA
Table 19. Capacitance
Note (7)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
C
IN
C
OUT
Input pin capacitance
V
IN
= 0 V, f = 1.0 MHz
V
OUT
= 0 V, f = 1.0 MHz
10
pF
Output pin capacitance
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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EPC8 Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
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參數(shù)描述
EPC-20 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A
EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
EPC2007 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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