參數(shù)資料
型號(hào)： EPC2
廠商： Altera Corporation
英文描述： Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
中文描述： 配置SRAM器件基于LUT的器件
文件頁(yè)數(shù)： 25/36頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商： EPC2
Altera Corporation
25
Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices Data Sheet
For EPC1 and EPC1441 configuration devices, 3.3-V or 5.0-V operation is
controlled by a programming bit in the POF. The programming bit value
is determined by the core supply voltage of the targeted device during
design compilation with the MAX+PLUS II software. For example, EPC1
devices are programmed automatically to operate in 3.3-V mode when
configuring FLEX 10KA devices, which have a V
CC
voltage of 3.3 V. In this
example, the EPC1 device’s
VCC
pin is connected to a 3.3-V power supply.
Designers may choose to set the configuration device for low voltage
when using the MultiVolt
TM
feature, which allows an ACEX, APEX,
APEX II, FLEX, or Mercury device to bridge between systems operating
with different voltages. When compiling for 3.3-V FLEX 6000 devices, set
the configuration device for low-voltage operation. To set the EPC1 and
EPC1441 configuration devices for low-voltage operation, turn on the
Low-Voltage I/O
option in the
Global Project Device Options
dialog box
(Assign menu) in the MAX+PLUS II software.
Configuration Chain with Multiple Voltage Levels
An EPC2 or EPC1 device can configure a device chain with multiple
voltage levels. All 3.3-V and 2.5-V ACEX, APEX, APEX II, FLEX, and
Mercury devices can be driven by higher-voltage signals.
When configuring a mixed-voltage device chain, the APEX II, APEX 20K,
Mercury, ACEX 1K, or FLEX devices’
VCCINT
and
VCCIO
pins may be
connected to 2.5 V, 3.3 V, or 5.0 V, depending upon the device. The
configuration device may be powered at 3.3 V or 5.0 V. If an EPC1,
EPC1441, EPC1213, EPC1064, or EPC1064V configuration device is
powered at 3.3 V, the
nSTATUS
and
CONF_DONE
pull-up resistors must be
connected to 3.3 V. If these configuration devices are powered at 5.0 V, the
nSTATUS
and
CONF_DONE
pull-up resistors must be connected to 3.3 V or
5.0 V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EPC4 Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
EPC8 Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
EPC1 433800612
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參數(shù)描述
EPC-20 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A
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EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
EPC2007 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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