參數(shù)資料
型號： EPC2
廠商： Altera Corporation
英文描述： Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
中文描述： 配置SRAM器件基于LUT的器件
文件頁數(shù)： 3/36頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： EPC2
Altera Corporation
3
Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices Data Sheet
Figure 2. EPC2 Package Pin-Out Diagrams
Functional
Description
With SRAM-based devices, configuration data must be reloaded each
time the system initializes, or when new configuration data is needed.
Altera configuration devices store configuration data for SRAM-based
APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX, and FLEX devices.
Table 1
lists
Altera configuration devices.
32-Pin TQFP
20-Pin PLCC
1
2
3
4
5
6
7
8
20
19
11
10
9
12
13
18
17
16
15
14
OE
N.C.
VCCSEL
DCLK
N.C.
T
T
D
T
V
VPP
N.C.
N.C.
N.C.
VPPSEL
T
n
n
G
30
31
32
1
2
3
4
5
29
28
N.C.
N.C.
DCLK
N.C.
VCCSEL
T
N
n
N
G
n
N
N.C.
24
23
22
21
20
N.C.
VPP
N.C.
N.C.
19
18
17
T
T
D
N
N
T
V
N
25
9
16
8
N.C.
OE
N.C.
VPPSEL
N.C.
N.C.
6
7
10
11
12
13
14
15
27
26
n
n
Table 1. Configuration Devices
Device
Description
EPC16
EPC8
EPC4
EPC2
EPC1
EPC1441
EPC1213
EPC1064
EPC1064V
16,000,000
×
1 bit with 3.3-V operation
8,000,000
×
1 bit with 3.3-V operation
4,000,000
×
1-bit device with 3.3-V operation
1,695,680
×
1-bit device with 5.0-V or 3.3-V operation
1,046,496
×
1-bit device with 5.0-V or 3.3-V operation
440,800
×
1-bit device with 5.0-V or 3.3-V operation
212,942
×
1-bit device with 5.0-V operation
65,536
×
1-bit device with 5.0-V operation
65,536
×
1-bit device with 3.3-V operation
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PDF描述
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參數(shù)描述
EPC-20 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A
EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
EPC2007 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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