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參數(shù)資料
| 型號： | EPC2 |
| 廠商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件頁數(shù)： | 2/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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2
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
■
EPC4, EPC8, and EPC16 configuration devices have reprogrammable
Flash configuration memory with density up to 16,000,000 or
32,000,000 bits with compression feature in these devices.
f
For detailed information on configuration devices, refer to the
Enhanced
Configuration Devices (EPC4, EPC8, & EPC16) Data Sheet
.
Figure 1. EPC1, EPC1441, EPC1213, EPC1064, & EPC1064V Package Pin-Out Diagrams
Note (1)
Notes to
Figure 1
:
(1)
EPC1, EPC1441, EPC1213, and EPC1064 devices are one-time programmable devices. ISP programming is not
available in these devices because they do not have JTAG pins.
(2)
The
nCASC
pin is available on EPC1 and EPC1213 devices. On the EPC1064, EPC1064V, and EPC1441 devices, it is
a reserved pin and should not be connected.
8-Pin PDIP
32-Pin TQFP
EPC1441
EPC1064
EPC1064V
20-Pin PLCC
EPC1
EPC1441
EPC1213
EPC1064
EPC1064V
EPC1
EPC1441
EPC1213
EPC1064
EPC1064V
DATA
DCLK
OE
nCS
VCC
VCC
nCASC (2)
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
20
19
10
13
18
17
16
15
14
OE
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
DCLK
N
N
N
D
V
VCC
N
N
(
n
G
30
31
32
1
2
3
4
5
29
28
DCLK
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
n
G
24
23
22
21
20
VCC
19
18
17
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
D
V
25
9
16
8
OE
6
7
10
11
12
13
14
15
27
26
9
11
12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標準包裝:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標準包裝:1 |
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