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參數(shù)資料
| 型號： | EPC2 |
| 廠商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件頁數(shù)： | 12/36頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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12
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
Notes to
Table 3
:
(1)
Do not use EPC2 devices to configure FLEX 6000 devices.
(2)
Pin-out information for EPC8 and EPC16 configuration devices, please refer to each respective data sheet.
(3)
This package is available for EPC1 and EPC1441 devices only.
(4)
This package is available for EPC2 and EPC1441 devices only.
(5)
The
OE
,
nCS
, and
nINIT_CONF
pins on EPC2 devices have internal, user-configurable 1-k
pull-up resistors. If
internal pull-up resistors are used, external pull-up resistors should not be used on these pins.
(6)
The EPC1441 device does not support data cascading. EPC2 and EPC1 devices support data cascading.
(7)
This pin applies to the EPC2 device only.
APEX II, APEX 20K, Merucry, ACEX 1K, FLEX 10K & FLEX 6000
Device Configuration with Multiple EPC2 or EPC1 Configuration
Devices
When configuration data for APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K,
and FLEX devices exceeds the capacity of a single EPC2 or EPC1
configuration device, multiple EPC2 or EPC1 devices can be cascaded
together. If multiple EPC2 or EPC1 devices are required, the
nCASC
and
nCS
pins provide handshaking between the devices.
1
EPC8 and EPC16 configuration devices cannot be cascaded
together. The EPC1441 device does not support data cascading.
VCC
7, 8
5
20
10
27
12
Power
Ground Ground pin. A 0.2-
μ
F decoupling capacitor must be
placed between the
VCC
and
GND
pins.
Power pin.
GND
Table 3. EPC2, EPC1, & EPC1441 Pin Functions During APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K
& FLEX 6000 Configuration (Part 3 of 3)
Notes (1)
,
(2)
Pin Name
Pin Number
Pin
Type
Description
8-Pin
PDIP
(3)
20-Pin
PLCC
32-Pin
TQFP
(4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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