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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ELANSC300-33VI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類(lèi)： | 32位微控制器 |
| 英文描述： | Highly Integrated, Low-Power, 32-Bit Microcontroller |
| 中文描述： | 高度集成，低功耗，32位微控制器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 48/139頁(yè) |
| 文件大小： | 1388K |
| 代理商： | ELANSC300-33VI |
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48
élanSC300 Microcontroller Data Sheet
P R E L I M I N A R Y
Page mode DRAM using two banks of 1 Mbyte x 16 DRAMs is not supported. Use Enhanced Page mode for two-bank configu-
ration. See Table 17 for the supported Enhanced Page mode configurations. See Table 15 for the physical organization of the
DRAM devices supported.
Bit 0 of the Memory Configuration 1 Register, Index 66h, must be cleared for normal (non-enhanced) page mode.
Notes:
1. Asymmetrical addressing applies to configurations using DRAM with 512K x 8 and 1M x 16 organizations.
Table 16.
DRAM Address Translation (Page Mode)
Index
B4h
Bit
7
0
Index
66h
Bits
4 3 2
0 0 1
1
Index
B1h
Bits
7 6
x x
DRAM
DRAM Address
Size
(Byte)
1M
Bank 0
(Byte)
1M
Bank 1
(Byte)
–
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
RAS
CAS
MA11MA10 MA9 MA8 MA7 MA6 MA5 MA4 MA3 MA2 MA1 MA0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
A19
–
A19
–
A19
A10
A19
A10
A19
A10
A19
A10
–
–
–
–
A19
–
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
A9
A18
–
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A17
A8
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A16
A7
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A15
A6
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A14
A5
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A13
A4
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A12
A3
A11
A2
A11
A2
A11
A2
A11
A2
A21
A2
A21
A2
A11
A2
A11
A2
A11
A2
A10
A1
A10
A1
A20
A1
A20
A1
A20
A1
A20
A1
A10
A1
A10
A1
A10
A1
0
0 1 0
1
x x
2M
1M
1M
0
0 1 1
x x
2M
2M
–
0
1 0 0
x x
4M
2M
2M
0
1 0 1
x x
8M
8M
–
A22
A11
A22
A11
–
–
–
–
A9
–
0
1 1 0
x x
16M
8M
8M
1
x x x
0 0
512K
512K
–
1
x x x
0 1
1M
512K
512K
1
x x x
1
1 0
2M
2M
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A20
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