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參數(shù)資料
| 型號： | DS28E04S-100 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4096-Bit Addressable 1-Wire EEPROM with PIO |
| 中文描述： | 4096位尋址1 - Wire EEPROM，帶有先鋒 |
| 文件頁數(shù)： | 14/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | DS28E04S-100 |
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DS28E04-100: 4096-Bit 1-Wire Addressable EEPROM with PIO
14 of 36
Figure 9-1. Memory/Control Function Flow Chart
0Fh
Write Scratch-
pad
Bus Master TX EEPROM
Array Target Address
TA1 (T7:T0), TA2 (T15:T8)
Y
N
To Figure 9
2
Part
From Figure 9
2
Part
Bus Master TX Memory
Function Command
To ROM Functions
Flow Chart (Figure 14)
From ROM Functions
Flow Chart (Figure 14)
Master
TX Reset
Master TX Data Byte
To Scratchpad Offset
N
Y
DS28E04 sets Scratchpad
Offset = (T4:T0),
Clears PF, AA
Scrpad. Offset
= 11111b
DS28E04 TX CRC16
of Command, Address,
Data Bytes as they were
sent by the bus master
DS28E04
Increments
Scratchpad
Offset
Master
TX Reset
Y
N
Bus Master
RX “1”s
N
Partial
Byte
PF = 1
Y
N
Y
Applies only if the page is not write
protected or in EPROM mode. If write-
protected, then the DS28E04 copies the
data byte from the target address into
the scratchpad. If in EPROM mode,
then the DS28E04 stores the bitwise
logical AND of the transmitted byte and
the data byte from the targeted address
into the scratchpad.
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PDF描述 |
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| DS28E04S-100+T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 4096-Bit Addressable 1-Wire 電可擦除可編程只讀存儲器 w/PIO RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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