參數(shù)資料
型號(hào)： CYDD04S18V18-167BBI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 9 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-192, FBGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 51/53頁(yè)
文件大?。?/td> 2422K
代理商： CYDD04S18V18-167BBI
FullFlex
Document #: 38-06072 Rev. *I
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FullFlex18 DDR 256 Ball BGA (Top View)
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13
14
15
16
A
DNU
DQ17L
DQ16L
DQ13L
DQ12L
DQ9L
DQ9R
DQ12R DQ13R DQ16R DQ17R
DNU
B
DNU
DQ15L
DQ14L
DQ11L
DQ10L
DQ10R
DQ11R
DQ14R DQ15R
DNU
C DNU
DNU
RETL
INTL
CQ1L
DNU
TRST
MRST
ZQ0R[4]
CQ1R
INTR
RETR
DNU
D
A0L
A1L
WRPL
VREFL VDDIOL LOWSP
DL
VSS
VTTL
VSS
LOWSP
DR
VDDIOR VREFR
WRPR
A1R
A0R
E
A2L
A3L
CE0L
CE1L
VDDIOL VDDIOL VDDIOL VCORE VCORE VDDIOR VDDIOR VDDIOR
CE1R
CE0R
A3R
A2R
F
A4L
A5L
CNTINTL
DNU
VDDIOL VDDIOL
VSS
VDDIOR
DNU
CNTINTR
A5R
A4R
G
A6L
A7L
BUSYL
DNU
ZQ0L[4]
VSS
VDDIOR
DNU
BUSYR
A7R
A6R
H
A8L
A9L
CL
VTTL
VCORE
VSS
VCORE
VTTL
CR
A9R
A8R
J
A10L
A11L
CL
PORTST
D1L
VCORE
VSS
VCORE PORTST
D1R
CR
A11R
A10R
K A12L
A13L
OEL
BE1L
VDDIOL
VSS
VDDIOR
BE1R
OER
A13R
A12R
L A14L
A15L
ADSL
BE0L
VDDIOL
VSS
VDDIOR VDDIOR
BE0R
ADSR
A15R
A14R
M A16L A17L[13] R/WL
CQENL VDDIOL VDDIOL VDDIOL VCORE VCORE VDDIOR VDDIOR VDDIOR CQENR
R/WR
A17R[13] A16R
N A18L[12]
DNU
CNT/MS
KL
VREFL PORTST
D0L
READYL ZQ1L[4]
VTTL
ZQ1R[4] READY
R
PORTST
D0R
VREFR CNT/MS
KR
DNU
A18R[12]
P
DNU
CNTENL CNTRST
L
CQ0L
TCK
TMS
TDO
TDI
CQ0R
CQ0R CNTRST
R
CNTENR
DNU
R DNU
DNU
DQ6L
DQ5L
DQ2L
DQ1L
DQ1R
DQ2R
DQ5R
DQ6R
DNU
T
DNU
DQ8L
DQ7L
DQ4L
DQ3L
DQ0L
DQ0R
DQ3R
DQ4R
DQ7R
DQ8R
DNU
Table 1. Selection Guide
–200
–167
Unit
SDR fMAX[14]
250
200
MHz
DDR fMAX[15]
200
167
MHz
SDR Max. Access Time (Clock to Data)
2.64
3.3
ns
DDR Max. Access Time (Clock to Data)
0.50
0.60
ns
Typical Operating Current ICC
800[16]
700[16]
mA
Typical Standby Current for ISB3 (Both Ports CMOS Level)
210[16]]
210[16]
mA
Notes:
12. Leave this ball unconnected for CYDD09S18V18 and CYDD04S18V18.
13. Leave this ball unconnected for CYDD04S18V18.
14. SDR mode with two pipelined stages.
15. DDR mode with 2.5 pipelined stages.
16. For 18-Mbit x36x2 DDR commercial configuration only, please refer to the electrical characteristics section for complete information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYDD09S36V18-200BBXC 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 7.2 ns, PBGA256
CMUI-67202AL-25 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
CP20840CPGA299B-0C FPGA, 8400 GATES, CPGA299
CP20840PQFP160B-0C FPGA, 8400 GATES, PQFP160
CP20840PQFP208B-0C FPGA, 8400 GATES, PQFP208
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYDD04S18V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD04S18V18-167BBXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD04S18V18-200BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD04S36V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 64Kx72 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD04S36V18-167BBXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 64Kx72 90nm DDR IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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