參數(shù)資料
型號(hào)： CYD18S72V
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
中文描述： FLEx72 3.3 64K/128K/256K × 72同步雙口RAM（FLEx72 3.3 64K/128K/256K × 72同步雙端口RAM）的
文件頁數(shù)： 23/25頁
文件大小： 677K
代理商： CYD18S72V
Document #: 38-06069 Rev. *I
Page 23 of 25
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
Table 7. Read/Write and Enable Operation (Any Port)
[1, 15, 58, 59, 60]
Inputs
Outputs
Operation
OE
CLK
CE
0
H
CE
1
X
R/W
DQ
0
–
DQ
71
High-Z
X
X
Deselected
X
X
L
X
High-Z
Deselected
X
L
H
L
D
IN
Write
L
L
H
H
D
OUT
Read
H
X
L
H
X
High-Z
Outputs Disabled
Ordering Information
256K
×
72 (18-Mbit) 3.3V Synchronous CYD18S72V Dual-Port SRAM
Speed
(MHz)
Ordering Code
CYD18S72V-133BBC
Package Name
BB484
Package Type
Operating Range
Commercial
133
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Pb-Free Ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Pb-Free Ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Pb-Free Ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
CYD18S72V-133BBXC
BB484
Commercial
CYD18S72V-133BBI
BB484
Industrial
100
CYD18S72V-100BBC
BB484
Commercial
CYD18S72V-100BBXC
BB484
Commercial
CYD18S72V-100BBI
BB484
Industrial
CYD18S72V-100BBXI
BB484
Industrial
128K
×
72 (9-Mbit) 3.3V Synchronous CYD09S72V Dual-Port SRAM
167
CYD09S72V-167BBC
BB484
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
Commercial
133
CYD09S72V-133BBC
BB484
Commercial
CYD09S72V-133BBI
BB484
Industrial
64K x 72 (4-Mbit) 3.3 Synchronous CYD04S72V Dual-Port SRAM
167
CYD04S72V-167BBC
BB484
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
484-ball Grid Array
23 mm x 23 mm with 1.0-mm pitch (FBGA)
Commercial
133
CYD04S72V-133BBC
BB484
Commercial
CYD04S72V-133BBI
BB484
Industrial
Notes:
58.OE is an asynchronous input signal.
59.When CE changes state, deselection and Read happen after one cycle of latency.
60.CE
0
= OE = LOW; CE
1
= R/W = HIGH.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD09S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYDC128B08-55AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08-40AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08-55AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYD18S72V-100BBC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (256Kx72) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD18S72V-100BBI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (256Kx72) 3.3v 100MHz Synch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD18S72V-100BBXC 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:FLEx72⑩ 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-100BBXI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:FLEx72⑩ 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-133BBC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Sync Dual Port 256K x 72 3.3V COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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