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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1916BV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM) |
| 中文描述： | 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)（2字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 -兆位的DDR - II SRAM的） |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | CY7C1916BV18 |
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CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
Document Number: 38-05621 Rev. *C
Page 21 of 28
Note:
22.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, V
= 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
Thermal Resistance
[21]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
165 FBGA Package
28.51
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test methods
and procedures for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51.
Θ
JC
5.91
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[22]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
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PDF描述 |
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