參數(shù)資料
型號: CY7C1916BV18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
中文描述: 18兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)架構(gòu)(2字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 -兆位的DDR - II SRAM的)
文件頁數(shù): 14/28頁
文件大小: 469K
代理商: CY7C1916BV18
CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
Document Number: 38-05621 Rev. *C
Page 14 of 28
TAP Controller State Diagram
[9]
Note:
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
0
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1320BV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
CY7C1316BV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
CY7C1318BV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(2字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit DDR-II SRAM)
CY7C192 64K x 4 Static RAM with Separate I/O(帶獨(dú)立的輸入/輸出口的64K x 4靜態(tài) RAM)
CY7C194B 256 Kb (64K x 4) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C192-15VCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C192-15VXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64Kx4 SEP IO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C192-15VXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64Kx4 SEP IO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C192-25DMB 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 64K x 4-Bit 25ns 28-Pin CDIP
CY7C192-35VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: