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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1392BV18-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 19/27頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | CY7C1392BV18-167BZC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 19 of 27
Maximum Ratings
(Above which the useful life may be impaired.)
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C
Ambient Temperature with Power Applied..–55°C to +125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND........–0.5V to +2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND ......–0.5V to +V
DD
DC Voltage Applied to Outputs
in High-Z State.................................... –0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[13]
............................ –0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[14]
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M 3015)... > 2001V
Latch-up Current.................................................... > 200 mA
Operating Range
Range
Com’l
Ind’l
Ambient
Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[17]
1.8
±
0.1V
V
DDQ
[17]
1.4V to V
DD
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
Description
V
DD
Power Supply Voltage
V
DDQ
I/O Supply Voltage
V
OH
Output HIGH Voltage
V
OL
Output LOW Voltage
V
OH(LOW)
Output HIGH Voltage
V
OL(LOW)
Output LOW Voltage
V
IH
V
IL
I
X
Input Leakage Current
I
OZ
Output Leakage Current
V
REF
I
DD
V
DD
Operating Supply
Test Conditions
Min.
1.7
1.4
Typ.
1.8
1.5
Max.
1.9
V
DD
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Note 18
Note 19
I
OH
=
0.1 mA, Nominal Impedance
I
OL
= 0.1 mA, Nominal Impedance
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.3
–5
–5
0.68
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.1
5
5
0.95
450
500
550
580
600
200
220
240
250
260
Input HIGH Voltage
[13]
Input LOW Voltage
[13]
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
Input Reference Voltage
[20]
Typical Value = 0.75V
0.75
V
DD
= Max.,I
OUT
= 0
mA, f = f
MAX
= 1/t
CYC
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
I
SB1
Automatic Power-down
Current
Max. V
DD
, Both Ports
Deselected, V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
,f = f
MAX
=
1/t
CYC
,
Inputs Static
AC Input Requirements
Over the Operating Range
Parameter
Description
V
IH
Input HIGH Voltage
V
IL
Input LOW Voltage
Test Conditions
Min.
Typ.
–
–
Max.
–
Unit
V
V
V
REF
+ 0.2
–
V
REF
– 0.2
Notes:
17.Power-up: Assumes a linear ramp from 0V to V
DD
(Min.) within 200 ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD
.
18.Outputs are impedance controlled. I
OH
= –(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
< RQ < 350
.
19.Outputs are impedance controlled. I
=(V
< RQ < 350
.
20.V
REF
(Min.) = 0.68V or 0.46V
DDQ
, whichever is larger, V
REF
(Max.) = 0.95V or 0.54V
DDQ
, whichever is smaller.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CY7C1393BV18-300BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1392SV18-250BZC | 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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