參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1392BV18-167BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 14/27頁(yè)
文件大?。?/td> 446K
代理商： CY7C1392BV18-167BZC
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 14 of 27
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[10, 13, 14]
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Test Conditions
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
1.4
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65V
DD
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
0.35V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[11, 12]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Set-up Times
t
TMSS
t
TDIS
Description
Min.
50
Max.
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
20
20
TMS Set-up to TCK Clock Rise
TDI Set-up to TCK Clock Rise
5
5
ns
ns
Notes:
10.These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
11. t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
12.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
/t
= 1 ns.
13.Overshoot: V
(AC) < V
+0.85V (Pulse width less than t
TCYC
/2); Undershoot V
IL
(AC) >
–1.5V (Pulse width less than t
TCYC
/2).
14.All voltage referenced to ground.
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1393BV18-300BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1393BV18-300BZXI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1394BV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1394BV18-167BZI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1394BV18-167BZXC 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1392SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
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