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參數(shù)資料
| 型號： | C67076-A2506-A17 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| 中文描述： | IGBT功率模塊（功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | C67076-A2506-A17 |
Semiconductor Group
8
Feb-10-1997
BSM 35 GD 120 D2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter: T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
A
70
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Z
th JC
=
(t
p
)
parameter: D = t
p
/ T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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