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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | C67076-A2506-A17 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| 中文描述： | IGBT功率模塊（功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | C67076-A2506-A17 |
Semiconductor Group
4
Feb-10-1997
BSM 35 GD 120 D2
Power dissipation
P
tot
=
(T
C
)
parameter: T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
W
300
P
tot
Safe operating area
I
C
=
(V
CE
)
parameter: D= 0, T
C
= 25°C , T
j
≤
150 °C
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 μs
tp = 18.0μs
Collector current
I
C
=
(T
C
)
parameter: V
GE
≥
15 V , T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
A
55
I
C
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(t
p
)
parameter: D = t
p
/ T
-4
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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