參數(shù)資料
型號(hào)： BLF225
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power MOS transistor
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-123A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 69K
代理商： BLF225
September 1992
6
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power MOS transistor
BLF225
APPLICATION INFORMATION FOR CLASS-B OPERATION
T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.3 K/W; unless otherwise specified.
RF performance in CW operation in a common source class-B test circuit.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
P
(dB)
>
8.5
typ. 9.5
η
C
(%)
>
60
typ. 70
CW, class-B
175
12.5
100
30
Ruggedness in class-B- operation
The BLF225 is capable of withstanding a load mismatch
corresponding to VSWR = 50 through all phases under the
following conditions:
V
DS
= 15.5 V; f = 175 MHz at rated load power.
Fig.9
Power gain and efficiency as functions of
load power, typical values.
Class-B operation; V
DS
= 12.5 V; I
DQ
= 100 mA;
f = 175 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
10
50
15
5
0
10
80
60
20
0
40
20
30
40
MGP124
Gp
PL (W)
η
η
(%)
Fig.10 Load power as a function of input power,
typical values.
Class-B operation; V
DS
= 12.5 V; I
DQ
= 100 mA;
f = 175 MHz.
handbook, halfpage
(W)
0
4
8
PIN (W)
12
0
40
MEA740
30
20
10
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