參數(shù)資料
型號： BLF225
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power MOS transistor
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-123A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： BLF225
September 1992
3
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power MOS transistor
BLF225
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GS
I
D
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
DC drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
40
20
9
68
150
200
V
V
A
W
°
C
°
C
up to T
mb
= 25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
THERMAL RESISTANCE
R
th j-mb
R
th mb-h
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink
2.6 K/W
0.3 K/W
Fig.2 DC SOAR.
(1) Current is this area may be limited by R
DS(on)
.
(2) T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MRA915
10
1
1
1
10
10
ID
(A)
VDS (V)
10
2
(1)
(2)
Fig.3 Power/temperature derating curves.
(1) Continuous operation.
(2) Short-time operation during mismatch.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
0
40
80
(1)
160
80
20
40
0
60
120
MGP122
Th (
°
C)
(2)
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