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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4F1 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 4M×4 CMOS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| 中文描述： | 5V的4米× 4的CMOS的DRAM（快速頁面模式）（5V的4米× 4的CMOS動態(tài)隨機存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 16/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 412K |
| 代理商： | AS4C4M4F1 |
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Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
20
40
80
100
60
120
140
160
R
Typical refresh current I
CC3
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
0.0
60
80
40
20
R
Typical refresh current I
vs. Ambient temperature Ta
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. supply voltage V
CC
20
40
80
100
60
120
140
160
-50
-60
-70
-50
-60
-70
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. ambient temperature T
a
Output voltage (V)
0.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output sink current I
OL
vs. output voltage V
OL
Output voltage (V)
0.0
3.0
4.0
2.0
1.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output source current I
OH
vs. output voltage V
OH
H
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
20
60
80
40
100
120
140
H
Typical fast page mode current I
CC4
vs. ambient temperature T
a
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
20
60
80
40
100
120
140
Typical fast page mode current I
CC4
vs. supply voltage V
CC
-50
-60
-70
-50
-60
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1Q | 5V 4M×4 CMOS QuadCAS DRAM （Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS QuadCAS 動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
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| AS4LC256K16EO | 3.3V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(3.3V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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