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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C256K16FO |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| 中文描述： | 5V的256K × 16的CMOS的DRAM（快速頁面模式）（5V的256K × 16的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（快速頁面模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 23/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | AS4C256K16FO |
AS4C256K16FO
2/1/01;
V.0.9
Alliance Semiconductor
P. 23 of 25
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0
5
15
20
10
25
30
35
R
Typical refresh current I
CC3
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
0.0
60
80
40
20
R
Typical refresh current I
vs. Ambient temperature T
a
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. supply voltage V
CC
0
5
15
20
10
25
30
35
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. ambient temperature T
a
Output voltage (V)
0.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output sink current I
OL
vs. output voltage V
OL
Output voltage (V)
0.0
3.0
4.0
2.0
1.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output source current I
OH
vs. output voltage V
OH
F
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
5
15
20
10
25
30
35
F
Typical fast page mode current I
CC4
vs. ambient temperature T
a
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
5
15
20
10
25
30
35
Typical fast page mode current I
CC4
vs. supply voltage V
CC
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PDF描述 |
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