參數(shù)資料
型號: AS4C256K16E0
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 5V的256K × 16的CMOS的DRAM(江戶)(5V的256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器(擴展數(shù)據(jù)總線))
文件頁數(shù): 20/24頁
文件大?。?/td> 643K
代理商: AS4C256K16E0
AS4C256K16E0
Alliance Semiconductor
20 of 24
CAS-before-RAS refresh counter test cycle waveform
t
RAS
t
RSH
t
RP
t
CSR
t
CHR
t
CPT
t
CAS
t
CAH
t
CLZ
t
CAC
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
RWL
t
CWL
t
WCS
t
WP
t
WCH
t
DS
Data In
t
DH
t
RCS
t
OEA
t
DS
Data In
t
DH
Col Address
Data Out
Data Out
RAS
UCAS,
LCAS
Address
I/O
WE
OE
WE
I/O
OE
WE
OE
I/O
t
OED
t
AA
t
CLZ
t
CAC
t
OEZ
t
WP
t
CWL
t
RCS
t
AA
t
OFF
t
AWD
t
CWD
t
RAL
R
W
R
t
OEA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C256K16FO 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4E1Q 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4EOQ 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4F0 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4F1 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS4C256K16E0-30 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-30JC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-35 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-35JC 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-45JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM