參數(shù)資料
型號: AS4C256K16E0
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 5V的256K × 16的CMOS的DRAM(江戶)(5V的256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器(擴展數(shù)據(jù)總線))
文件頁數(shù): 17/24頁
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代理商: AS4C256K16E0
AS4C256K16E0
Alliance Semiconductor
17 of 24
EDO page mode read-modify-write cycle waveform
CAS-before-RAS refresh cycle waveform
(WE = A9 = V
IH
or V
IL
)
RAS only refresh cycle waveform
(WE = OE = V
IH
or V
IL
)
t
RASP
t
RP
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
CAH
t
RAL
t
CAH
t
CWD
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
CWD
t
AWD
t
RWL
t
OEZ
t
OEA
t
RAC
t
CLZ
t
CAC
t
DS
t
CLZ
t
CAC
t
CAP
Row Ad
Col Ad
t
CWL
Col Address
Col Ad
Data Out
Data In
Data In
Data Out
Data Out
Data In
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
I/O
t
RAD
t
RAH
t
RWD
t
RCS
t
OEA
t
AA
t
DH
t
DS
t
CLZ
t
CAC
t
OED
t
PCM
t
RP
t
RC
t
RAS
t
RPC
t
CPN
t
CSR
t
CHR
t
OFF
RAS
UCAS,
LCAS
I/O
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
RPC
t
ARS
t
RAH
Row Address
RAS
UCAS,
LCAS
Address
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PDF描述
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AS4C4M4EOQ 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
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