參數(shù)資料
型號: AS4C256K16E0
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 5V的256K × 16的CMOS的DRAM(江戶)(5V的256K × 16的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
文件頁數(shù): 16/24頁
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代理商: AS4C256K16E0
AS4C256K16E0
Alliance Semiconductor
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EDO page mode early write cycle waveform
EDO page mode byte early write cycle waveform
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Row
Column 1
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Data In 1
Data In n
Data In 2
RAS
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Upper I/O
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ASC
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CAS
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C256K16FO 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4E1Q 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4EOQ 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4F0 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4F1 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
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