參數(shù)資料
型號: AS4C256K16E0
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 5V的256K × 16的CMOS的DRAM(江戶)(5V的256K × 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器(擴展數(shù)據(jù)總線))
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代理商: AS4C256K16E0
AS4C256K16E0
Alliance Semiconductor
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Upper byte write cycle waveform
(OE controlled)
Lower byte write cycle waveform
(OE controlled)
t
RAS
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RC
t
RP
t
RAL
t
RAD
t
ASC
t
CAH
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CAS
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Data In
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ASR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C256K16FO 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4E1Q 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4EOQ 4M × 4 CMOS QuadCAS DRAM(EDO) Family(4M × 4 CMOS QuadCAS動態(tài)RAM(擴展數(shù)據(jù)總線))
AS4C4M4F0 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C4M4F1 5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 4M×4 CMOS 動態(tài)RAM(快速頁面模式))
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參數(shù)描述
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