參數(shù)資料
型號: AS4C1M16E5
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
中文描述: 5V的100萬× 16個(gè)CMOS的DRAM(江戶)(5V的100萬× 16個(gè)CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線))
文件頁數(shù): 6/22頁
文件大小: 597K
代理商: AS4C1M16E5
AS4C1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
6
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Parameter
Write command setup time
Write command hold time
Write command pulse width
Write command to RAS lead time
Write command to CAS lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
-45
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
14
14
Min
0
10
10
10
8
0
8
Max
Min
0
10
10
10
8
0
8
Max
Min
0
10
10
10
10
0
10
Max
15
15
Symbol
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Parameter
Read-write cycle time
RAS to WE delay time
CAS to WE delay time
Column address to WE delay time
-45
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
105
65
30
40
Max
Min
113
67
32
42
Max
Min
135
77
35
47
Max
14
14
14
Symbol
t
CSR
t
CHR
t
RPC
Parameter
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
CAS hold time (CAS-before-RAS)
RAS precharge to CAS hold time
CAS precharge time
(CBR counter test)
-45
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
Notes
6
6
Min
5
8
0
Max
Min
5
8
0
Max
Min
5
10
0
Max
t
CPT
10
10
10
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C1M16F5 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式))
AS4C256K16E0-50TC 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-30 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-30JC 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0-35 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
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參數(shù)描述
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