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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C1M16E5 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 5V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（5V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | AS4C1M16E5 |
AS4C1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
21
Package dimensions
Capacitance
15
Parameter
= 1 MHz, T
a
= Room temperature
Test conditions
Max
V
in
= 0V
5
V
in
= 0V
7
V
in
= V
out
= 0V
7
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
DQ
Signals
A0 to A9
RAS, UCAS, LCAS, WE, OE
DQ0 to DQ15
Unit
pF
pF
pF
Input capacitance
DQ capacitance
e
D
E1
Pin 1
b
B
A1
A2
c
E
Seating
Plane
E2
A
42-pin SOJ
Min
0.128
0.025
0.105
0.026
0.015
0.007
1.070
0.370 NOM
0.395
0.435
0.050 NOM
Max
0.148
-
0.115
0.032
0.020
0.013
1.080
A
A1
A2
B
b
c
D
E
E1
E2
e
0.405
0.445
SOJ
50-pin TSOP II
Min
(mm)
Max
(mm)
A
1.2
A
1
A
2
b
0.05
0.95
1.05
0.30
0.45
c
0.12
0.21
d
20.85
21.05
E
10.03
10.29
H
e
e
11.56
11.96
0.80 (typical)
l
0.40
0.60
d
H
e
1 2
3 4 5
6 7
8 9 10 11
50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40
15 16
36 35
17 18 19 20
34 33 32 31
c
l
A
1
A
2
e
TSOP II
0
–
5
°
21
30
22 23 24 25
29 28 27 26
E
A
b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C1M16F5 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C256K16E0-50TC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-35 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C1M16E5-45JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-45TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC |
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