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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C1M16E5 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 5V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（5V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 10/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | AS4C1M16E5 |
AS4C1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
10
Lower byte read waveform
Early write waveform
t
RAS
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RC
t
RP
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RCD
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RSH
t
CRP
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ASR
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RAH
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RAD
t
RAL
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CAH
t
RRH
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CAC
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RAC
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OFF
Data out
RAS
LCAS
UCAS
Address
WE
OE
Upper DQ
Lower DQ
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CSH
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ASC
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Row
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Column
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ASC
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RWL
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WP
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DS
t
DH
Data in
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
DQ
Row address
t
RAL
Column address
t
RAH
t
ASR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C1M16F5 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C256K16E0-50TC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-35 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C1M16E5-45JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-45TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC |
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