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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C1M16E5 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（擴展數(shù)據(jù)總線）) |
| 中文描述： | 5V的100萬× 16個CMOS的DRAM（江戶）（5V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機存儲器（擴展數(shù)據(jù)總線）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/22頁 |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | AS4C1M16E5 |
Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
AS4C1M16E5
12/15/00
Alliance Semiconductor
1
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Features
Organization: 1,048,576 words × 16 bits
High speed
- 45/50/60 ns RAS access time
- 20/20/25 ns hyper page cycle time
- 10/12/15 ns CAS access time
Low power consumption
- Active:
740 mW max (AS4C1M16E5-60)
- Standby: 5.5 mW max, CMOS DQ
Extended data out
1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh or self-refresh
Read-modify-write
TTL-compatible, three-state DQ
JEDEC standard package and pinout
- 400 mil, 42-pin SOJ
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II
5V power supply (AS4C1M16E5)
3V power supply (AS4LC1M16E5)
Industrial and commercial temperature available
Pin arrangement
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
SOJ
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
Vcc
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
Vcc
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
Vcc
V
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
TSOP II
Pin designation
Pin(s)
A0 to A9
RAS
DQ1 to DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
V
CC
V
SS
Description
Address inputs
Row address strobe
Input/output
Output enable
Write enable
Column address strobe, upper byte
Column address strobe, lower byte
Power
Ground
Selection guide
Symbol
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
-45
45
23
10
12
75
20
155
1.0
-50
50
25
12
13
80
20
145
1.0
-60
60
30
15
15
100
25
135
1.0
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
Maximum RAS access time
Maximum column address access time
Maximum CAS access time
Maximum output enable (OE) access time
Minimum read or write cycle time
Minimum hyper page mode cycle time
Maximum operating current
Maximum CMOS standby current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C1M16F5 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
| AS4C256K16E0-50TC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-30JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-35 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C1M16E5-45JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-45TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50JI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC |
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