參數(shù)資料
型號(hào)： APT150GN60LDQ4
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 223K
代理商： APT150GN60LDQ4
050-7633
Rev
A
10-2008
T
J
=125°C
V
R
=400V
50A
100A
200A
Duty cycle = 0.5
T
J
=175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Q
rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
CHARGE
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(nC)
(A)
I
RRM
,REVERSE
RECO
VER
Y
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
TIME
(A)
(ns)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 175°C
T
J
=125°C
V
R
=400V
100A
50A
200A
300
250
200
150
100
50
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
T
J
=125°C
V
R
=400V
200A
100A
50A
300
250
200
150
100
50
0
60
50
40
30
20
10
0
C
J
,JUNCTION
CAP
A
CIT
ANCE
K
f
,D
YNAMIC
P
ARAMETERS
(pF)
(Nor
maliz
ed
to
1000A/
s)
I F(A
V)
(A)
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
t
rr
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APT150GN60LDQ4(G)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15F50KF 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT15GP60BDF1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1G 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT150GN60LDQ4G 功能描述:IGBT 600V 220A 536W TO-264L RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT150GT120JR 功能描述:IGBT 1200V 170A 830W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT-15A 制造商:OPTIFUSE 功能描述:
APT15D100B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT15D100BCT 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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