參數(shù)資料
型號(hào)： APT150GN60LDQ4
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 223K
代理商： APT150GN60LDQ4
050-7633
Rev
A
10-2008
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
20,000
10,000
500
100
50
10
500
400
300
200
100
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
30 50
70
90
110 130 150 170 190
F
MAX
,OPERA
TING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 1.0Ω
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
oes
C
ies
0.0964
0.184
0.00770
0.300
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature. (
°C)
Typical Performance Curves
APT150GN60LDQ4(G)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15F50KF 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT15GP60BDF1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1G 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT150GN60LDQ4G 功能描述:IGBT 600V 220A 536W TO-264L RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT150GT120JR 功能描述:IGBT 1200V 170A 830W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT-15A 制造商:OPTIFUSE 功能描述:
APT15D100B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT15D100BCT 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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