參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT120JRDLG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： APT100GT120JRDLG
Typical Perfromance Curves
APT100GT120JRDL(G)
052-6351
Rev
A
7-2008
T
J
= 125°C
V
R
= 800V
37.5A
75A
150A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175°C
140
120
100
80
60
40
20
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
600
500
400
300
200
100
0
C
J
,JUNCTION
CAP
A
CIT
ANCE
K
f
,D
YNAMIC
P
ARAMETERS
(pF)
(Nor
maliz
ed
to
1000A/
s)
I F(A
V)
(A)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
CHARGE
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(nC)
(A)
I
RRM
,REVERSE
RECO
VER
Y
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
TIME
(A)
(ns)
T
J
= 175°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
T
J
= 125°C
V
R
= 800V
150A
37.5A
75A
T
J
= 125°C
V
R
= 800V
150A
75A
37.5A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LRG 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GT60B2R 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT106N60B2C6 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M07JVR 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GT120JRDQ4 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60B2R 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT100GT60B2RG 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*