參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT120JRDLG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： APT100GT120JRDLG
052-6351
Rev
A
7-2008
Typical Performance Curves
APT100GT120JRDL(G)
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
70000
80000
0
25
50
75
100
125
0
20000
40000
60000
80000
100000
120000
140000
160000
0
4
8
12
16
20
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
18000
0
40
80
120
160
200
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
70000
80000
0
40
80
120
160
200
0
20
40
60
80
100
120
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
200
250
300
350
0
40
80
120
160
200
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
40
80
120
160
200
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 800V
R
G = 4.7Ω
L = 100μH
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 4.7Ω
V
CE = 800V
T
J = 25°C, or 125°C
R
G = 4.7Ω
L = 100μH
V
GE = 15V
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 4.7Ω
V
CE = 800V
V
GE = +15V
R
G = 4.7Ω
R
G = 4.7Ω, L = 100
μ
H, V
CE = 800V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
R
G = 4.7Ω, L = 100
μ
H, V
CE = 800V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,200A
E
off,200A
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
V
CE = 800V
V
GE = +15V
T
J = 125°C
E
on2,200A
E
off,200A
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
t d(ON)
,TURN-ON
DELA
Y
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
t d(OFF)
,TURN-OFF
DELA
Y
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
t r,
RISE
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
t r,
F
ALL
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on2
,
TURN
ON
ENERGY
LOSS
(
μ
J)
I
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
E
OFF
,
TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(
μ
J)
R
G, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs Gate Resistance
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(
μ
J)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(
μ
J)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LRG 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GT60B2R 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT106N60B2C6 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M07JVR 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GT120JRDQ4 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60B2R 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT100GT60B2RG 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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