參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT120JRDLG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： APT100GT120JRDLG
APT100GT120JRDL(G)
IC
A
D.U.T.
VCE
VCC
APT2X31DL120
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
Switching Energy
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
a -46.0ns
780.4V
b 422ns
34.13V
468ns
746.3V
a -226ns
97.34V
b 928ns
0.000V
1.15μs
97.34V
052-6351
Rev
A
7-2008
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LRG 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT100GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APT100GT60B2R 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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