參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT120JRDLG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： APT100GT120JRDLG
Symbol
Parameter
APT100GT120JRDL(G)
Unit
V
CES
Collector-Emitter Voltage
1200
Volts
V
GE
Gate-Emitter Voltage
±20
I
C1
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
123
Amps
I
C2
Continuous Collector Current @ T
C = 100°C
67
I
CM
Pulsed Collector Current 1
200
SSOA
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
200A @ 1200V
P
D
Total Power Dissipation
570
Watts
T
J, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to 150
°C
T
L
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.
300
Maximum Ratings
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
Characteristic / Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, IC = 5mA)
1200
-
Volts
V
GE(TH)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, IC = 4mA, Tj = 25°C)
4.5
5.5
6.5
V
CE(ON)
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 100A, Tj = 25°C)
2.7
3.2
3.7
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 100A, Tj = 125°C)
-
4.0
-
I
CES
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
-
300
μA
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
-
1500
I
GES
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
-
600
nA
R
G(int)
Integrated Gate Resistor
-5-
Ω
Static Electrical Characteristics
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed
.
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
052-6351
Rev
A
7-2008
SO
T-
22
7
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
1200V
APT100GT120JRDL(G)
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
The Thunderbolt IGBT used in this Resonant Mode Combi is a new generation of high
voltage power IGBTs. Using Non- Punch Through Technology, the Thunderblot IGBT of-
fers superior ruggedness and ultrafast switching speed.
Resonant Mode IGBT
Features
Low Conduction Loss
Low Gate Charge
Ultrafast Tail Current shutoff
Low forward Diode Voltage (V
F)
Ultrasoft Recovery Diode
SSOA Rated
RoHS Compliant
Typical Applications
Induction Heating
Welding
Medical
High Power Telecom
Resonant Mode Phase Shifted
Bridge
G
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LRG 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GT60B2R 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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APT10M07JVR 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT100GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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